5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-57 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MBPM-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 | JESD-30 代码： | O-MBPM-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 7.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1050A | APITECH |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-57, |
|
| JAN2N1120 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1131 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR |
|
| JAN2N1131L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
|
| JAN2N1132 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JAN2N1132 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
|
| JAN2N1132A | MOTOROLA |
获取价格 |
600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
|
| JAN2N1132L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
|
| JAN2N1165 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1183 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
