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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-57 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MBPM-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | O-MBPM-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 7.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1120 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1131 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR |
|
| JAN2N1131L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
|
| JAN2N1132 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N1132 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
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| JAN2N1132A | MOTOROLA |
获取价格 |
600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
|
| JAN2N1132L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
|
| JAN2N1165 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1183 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1183A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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