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IXYH40N120C4

更新时间： 2024-03-25 22:02:01

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力特 - LITTELFUSE		栅极驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	232K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYH40N120C4 数据手册

IXYH40N120C4

Fig. 7. Transconductance

Fig. 8. Gate Charge

= - 40^oC

V_CE= 600V

I_C= 32A

_G= 10mA

25^oC

150^oC

100

120

100

I_C- Amperes

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area

Fig. 9. Capacitance

10,000

1,000

100

= 1 MHz

ies

oes

res

= 150^oC

= 5

Ω

dv / dt < 10V / ns

Fig³.⁰11. Maximum⁴T⁰ransient Therma³l⁰I⁰mpedance

200

400

500

600

700

800

900

1000 1100 1200

V_CE- Volts

Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance

aaa

0.4

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Second

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6 7

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