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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP22N20MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP22N50PM | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTP230N04T4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP230N04T4 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IXTP230N04T4M | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP230N04T4M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP230N075T2 | IXYS |
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TrenchT2TM Power MOSFET |
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| IXTP230N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP240N055T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTP24N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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