Datasheet > IXTP230N075T2

IXTP230N075T2

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	336K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP230N075T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTP230N075T2 数据手册

TrenchT2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 230A

R_DS(on) 4.2m

IXTA230N075T2

IXTP230N075T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSM

Transient

20

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25C

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

230

120

700

D (Tab)

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

115

850

E_AS

P_D

T_C= 25C

480

Features

T_J

-55 ... +175

175



C



International Standard Packages

Avalanche Rated

T_JM

T_stg



-55 ... +175



Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

175°C Operating Temperature

High Current Handling Capability

ROHS Compliant

High Performance Trench



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Technology for extremely low R_DS(on)

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

2.0

4.0



Automotive Engine Control

Synchronous Buck Converter



           200 nA

A

(for Notebook SystemPower &

I_DSS

General Purpose Point & Load)

DC/DC Converters

High Current Switching Applications



T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1 & 2

150 A

4.2 m



R_DS(on)



Power Train Management

Distributed Power Architecture

_

DS100042A(7/18)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTP230N075T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP240N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP24N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP24N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTP24N65X2M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP24P085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 85V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP24P085T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP260N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP260N055T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP26P10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP26P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱

与IXTP230N075T2相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP230N075T2

IXTP230N075T2 技术参数

IXTP230N075T2 数据手册

与IXTP230N075T2相关器件

与IXTP230N075T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP230N075T2

IXTP230N075T2 技术参数

IXTP230N075T2 数据手册

与IXTP230N075T2相关器件

与IXTP230N075T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？