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IXTN22N100L

更新时间： 2024-11-06 19:57:59

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	154K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTN22N100L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXTN22N100L 数据手册

Linear^TMPower MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 1000V

I_D25= 22A

IXTN22N100L

R_DS(on)≤ 600mΩ

N-Channel Enhancement Mode

AvalancheRated

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C=25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_A

T_C=25°C

E_AS

1.5

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

P_D

T_C=25°C

700

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

• MiniBLOC with Aluminium Nitride

Isolation

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1mA

t = 1 Minute

t = 1 Second

2500

3000

• Designed for Linear Operation

• International Standard Package

• AvalancheRated

• Molding Epoxy Meets UL94 V-0

FlammabilityClassification

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

• Easy to Mount

• SpaceSavings

• High Power Density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

5.5

• ProgrammableLoads

• CurrentRegulators

• DC-DCConverters

• BatteryChargers

±200 nA

I_DSS

50 μA

T_J= 125°C

1 mA

• DCChoppers

• Temperature and Lighting Controls

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_DSS, Note 1

600 mΩ

DS99811B(10/10)

12 3 4 5 6

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