品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 205K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.74 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTN40P50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN40P50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTN46N50L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTN46N50L | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN550N055T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTN550N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN58N50 | IXYS |
获取价格 |
High Current Power MOSFET | |
IXTN5N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计,这类应用需要高 | |
IXTN600N04T2 | IXYS |
获取价格 |
TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Di | |
IXTN600N04T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |