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IXTN32P60P

更新时间： 2024-11-06 20:10:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	116K
描述
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MINIBLOC-4

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IXTN32P60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, MINIBLOC-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	890 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTN32P60P 数据手册

Preliminary Technical Information

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 600V

I_D25= - 32A

IXTN32P60P

R_DS(on)

≤

350mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

miniBLOC, SOT-227 (IXTN)

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

- 32

- 90

I_AR

T_C= 25°C

- 32

3.5

G = Gate

D = Drain

E_AR

S = Source

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

890

Either source terminal at miniBLOC can

be used as Main or Kelvin Source.

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

^zInternational standard package

^zRugged PolarP^TMprocess

^zAvalanche Rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

^zLow package inductance

M_d

Mounting torque

Terminal Connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Hight side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Automatic test equipment

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

- 600

- 2.5

- 4.5

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

- 50 μA

- 250 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

350 mΩ

DS99991(05/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTN36N50	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
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IXTN400N15X4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXTN550N055T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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