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IXSR40N60CD1

更新时间： 2024-10-02 03:13:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	39K
描述
IGBT with Diode ISOPLUS247

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IXSR40N60CD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	62 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	210 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	280 ns	标称接通时间 (ton)：	100 ns
Base Number Matches：	1

IXSR40N60CD1 数据手册

IXSR 40N60CD1

V_CES

I_C25

V_CE(SAT)

= 600 V

= 62 A

= 2.5 V

= 70 ns

IGBT with Diode

ISOPLUS247^TM

(Electrically Isolated Backside)

t_fi(typ)

Short Circuit SOA Capability

Preliminary data

ISOPLUS 247^TM(IXSR)

E153432

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C, limited by leads

T_C= 90°C

Isolated backside*

T_C= 25°C, 1 ms

150

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 30 mH

I_CM= 80

@ 0.8 V_CES

*Patentpending

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 22 W, non repetitive

P_C

T_C= 25°C

210

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

2500

300

• DCBIsolatedmountingtab

• MeetsTO-247ADpackageOutline

• Highcurrenthandlingcapability

• Latest generation HDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

°C

Weight

PLUS247

- drivesimplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

600

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

650

Advantages

T_J= 150°C

• Easy assembly

• High power density

• Very fast switching speeds for high

frequencyapplications

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_T, V_GE= 15 V

2.5

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98673A(7/00)

1 - 2

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IXSR40N60CD1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXXH50N60C3D1	IXYS	功能相似	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching

与IXSR40N60CD1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSR45N120B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXSR50N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXSR50N60BU1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXST15N120B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3
IXST15N120BD1	IXYS	获取价格	S Series - Improved SCSOA Capability
IXST24N60B	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST24N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST30N60B	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST30N60B2D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXST30N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT with Diode

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