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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSR35N120BD1
IXSR35N120BD1 PDF预览

IXSR35N120BD1

更新时间： 2024-10-02 03:13:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside)

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IXSR35N120BD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOPLUS
包装说明：ISOPLUS247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：300 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：580 ns标称接通时间 (ton)：67 ns
Base Number Matches：1

IXSR35N120BD1 数据手册

 浏览型号IXSR35N120BD1的Datasheet PDF文件第2页 
IXSR 35N120BD1  
IGBT with Diode  
ISOPLUS 247TM  
VCES  
IC25  
= 1200 V  
= 70 A  
VCE(sat) = 3.6 V  
(ElectricallyIsolatedBackside)  
tfi(typ)  
= 180 ns  
Short Circuit SOA Capability  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS247TM  
E 153432  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
70  
30  
A
A
A
G
C
TC = 90°C  
E
Isolated backside*  
TC = 25°C, 1 ms  
140  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 Ω  
Clamped inductive load, L = 30 µH  
ICM = 90  
@ 0.8 VCES  
A
G = Gate,  
C = Collector,  
E = Emitter  
tSC  
(SCSOA)  
VGE= 15 V, VCE = 720 V, TJ = 125°C  
RG = 22 Ω, non repetitive  
10  
µs  
* Patent pending  
PC  
TC = 25°C  
IGBT  
250  
150  
W
W
Diode  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
z
DCB Isolated mounting tab  
Meets TO-247AD package outline  
High current handling capability  
Latest generation HDMOSTM process  
MOS Gate turn-on  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min leads-to housing  
2500  
300  
V~  
z
z
z
z
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
°C  
Weight  
5
g
- drive simplicity  
Applications  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
z
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
z
AC motor speed control  
z
DC servo and robot drives  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 3 mA, VGE = 0 V  
1200  
3
V
V
z
DC choppers  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
6
Advantages  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
1
3
mA  
mA  
z Easy assembly  
z
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
IC = IT, VGE = 15 V  
±100 nA  
3.6  
High power density  
VCE(sat)  
V
c Device must be heatsunk for high temperature measurements to avoid thermal runaway.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2002 IXYS All rights reserved  
98741A (01/02)  
12

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