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IXGH12N60C PDF预览

IXGH12N60C

更新时间： 2024-11-20 12:20:15
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IXYS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
HiPerFAST IGBT Lightspeed Series

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IXGH12N60C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
Is Samacsys：N其他特性：FAST
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：170 ns
标称接通时间 (ton)：40 nsBase Number Matches：1

IXGH12N60C 数据手册

 浏览型号IXGH12N60C的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFASTTM IGBT  
LightspeedTM Series  
IXGH 12N60C  
V
I
V
= 600 V  
= 24 A  
= 2.7 V  
CES  
C25  
t CE(sat) = 55 ns  
fi(typ)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247  
VCES  
VCGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
J
J
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
GE  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
(TAB)  
G
IC25  
IC90  
ICM  
T
= 25°C  
24  
12  
48  
A
A
A
C
C
E
T
= 90°C  
C
T
= 25°C, 1 ms  
C
G = Gate,  
E=Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
SSOA  
(RBSOA)  
V = 15 V, T = 125°C, R = 33 Ω  
I = 24  
CM  
A
GE  
VJ  
G
Clamped inductive load, L = 300 µH  
= 25°C  
@ 0.8 V  
CES  
PC  
T
100  
W
C
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Md  
Mounting torque with screw M3  
Mounting torque with screw M3.5  
0.45/4 Nm/lb.in.  
0.55/5 Nm/lb.in.  
Features  
Weight  
6
g
• Very high frequency IGBT  
• New generation HDMOS process  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
TM  
• Internationalstandardpackage  
JEDEC TO-247  
• Highpeakcurrenthandlingcapability  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
• PFCcircuit  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• Switch-modeandresonant-mode  
power supplies  
J
min. typ. max.  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, V = 0 V  
600  
2.5  
V
V
C
GE  
I
= 250 µA, V = V  
5.0  
C
GE  
GE  
• Highpoweraudioamplifiers  
ICES  
V
V
= 0.8 V  
= 0 V  
T = 25°C  
200 µA  
1.5 mA  
CE  
GE  
CES  
J
T = 125°C  
J
Advantages  
IGES  
V
= 0 V, V = ±20 V  
±100 nA  
CE  
GE  
• Fastswitchingspeed  
• High power density  
VCE(sat)  
I
= I , V = 15 V  
2.1  
2.7  
V
C
CE90  
GE  
98503B (2/02)  
© 2002 IXYS All rights reserved  
12

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