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IXGH17N100

更新时间： 2024-09-15 22:41:15

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXGH17N100 数据手册

V_CES

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT

High speed IGBT

IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 V

IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 V

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-204 AE (IXGM)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 82 Ω

Clamped inductive load, L = 300 µH

I_CM= 34

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high

temperature (125°C)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

17N100

17N100A

3.5

4.0

(isolated mounting screw hole)

High power density

91515E (3/96)

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IXGH17N100 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG20N60A4	ONSEMI	功能相似	IGBT，600V，SMPS
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与IXGH17N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH17N100A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH17N100AU1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
IXGH17N100U1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
IXGH20N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGH20N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH20N100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-247
IXGH20N100A3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXGH20N100A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH20N100U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 36A I(C) \| TO-247
IXGH20N120	IXYS	获取价格	IGBT

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