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IXGH20N100A3

更新时间： 2024-11-21 14:56:39

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力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	248K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGH20N100A3 数据手册

Advance Technical Information

GenX3^TM1000V

IGBTs

IXGA20N100A3

IXGP20N100A3

IXGH20N100A3

V_CES= 1000V

I_C90= 20A

V_CE(sat)≤ 2.3V

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3kHz Switching

TO-263 (IXGA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

1000

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

TO-247 (IXGH)

100

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 50Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 40

@V_CE≤ 800

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

C (Tab)

-55 ... +150

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247 & TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Optimized for Low Conduction Losses

International Standard Packages

Advantages

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

25 μA

500 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.1

2.3

Inrush Current Protection Circuits

DS100358(07/11)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGH20N120	IXYS	获取价格	IGBT
IXGH20N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGH20N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
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