5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGH17N100AU1
IXGH17N100AU1 PDF预览

IXGH17N100AU1

更新时间： 2024-11-20 22:07:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGH17N100AU1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
其他特性：HIGH SPEED外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：34 A集电极-发射极最大电压：1000 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：150 W
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1450 ns
标称接通时间 (ton)：300 nsVCEsat-Max：4 V
Base Number Matches：1

IXGH17N100AU1 数据手册

 浏览型号IXGH17N100AU1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGH17N100AU1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH17N100AU1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGH17N100AU1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXGH17N100AU1的Datasheet PDF文件第6页 
VCES  
1000 V 34 A 3.5 V  
IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 V  
IC25 VCE(sat)  
Low VCE(sat) IGBT with Diode  
High speed IGBT with Diode  
IXGH 17 N100U1  
CombiPacks  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 AD  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1000  
1000  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
34  
17  
68  
A
A
A
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 82 Ω  
Clamped inductive load, L = 100 µH  
ICM = 34  
@ 0.8 VCES  
A
Features  
PC  
TC = 25°C  
150  
W
l
International standard package  
JEDEC TO-247 AD  
IGBT and anti-parallel FRED in one  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
l
TJM  
Tstg  
package  
-55 ... +150  
2nd generation HDMOSTM process  
Low VCE(sat)  
l
l
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
- for minimum on-state conduction  
losses  
Weight  
6
g
l
l
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Fast Recovery Epitaxial Diode(FRED)  
- soft recovery with low IRM  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
l
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
l
l
l
BVCES  
VGE(th)  
IC = 4.5 mA, VGE = 0 V  
1000  
2.5  
V
V
l
IC = 500 µA, VCE = VGE  
5.5  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
500 µA  
mA  
Advantages  
8
l
Saves space (two devices in one  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
package)  
Easy to mount (isolated mounting  
screw hole)  
Reduces assembly time and cost  
l
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
17N100U1  
17N100AU1  
3.5  
4.0  
V
V
l
91754D (3/96)  
© 1996 IXYS All rights reserved  
123456

中文翻译

下载PDF

IXGH17N100AU1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTG20N60A4 ONSEMI

功能相似

 IGBT，600V，SMPS
STGP8NC60KD STMICROELECTRONICS

功能相似

 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
IRG4PH50UDPBF INFINEON

功能相似

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IXGH17N100AU1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH17N100U1 IXYS

获取价格

 		Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
IXGH20N100 IXYS

获取价格

 		IGBT
IXGH20N100 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGH20N100A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N100A3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXGH20N100A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGH20N100U1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247
IXGH20N120 IXYS

获取价格

 		IGBT
IXGH20N120A3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1200V IGBTs
IXGH20N120A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对

与IXGH17N100AU1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证