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IXGH17N100AU1 PDF预览

IXGH17N100AU1

更新时间： 2024-09-15 22:07:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode

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IXGH17N100AU1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
其他特性：HIGH SPEED外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：34 A集电极-发射极最大电压：1000 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：150 W
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1450 ns
标称接通时间 (ton)：300 nsVCEsat-Max：4 V
Base Number Matches：1

IXGH17N100AU1 数据手册

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VCES  
1000 V 34 A 3.5 V  
IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 V  
IC25 VCE(sat)  
Low VCE(sat) IGBT with Diode  
High speed IGBT with Diode  
IXGH 17 N100U1  
CombiPacks  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 AD  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1000  
1000  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
34  
17  
68  
A
A
A
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 82 Ω  
Clamped inductive load, L = 100 µH  
ICM = 34  
@ 0.8 VCES  
A
Features  
PC  
TC = 25°C  
150  
W
l
International standard package  
JEDEC TO-247 AD  
IGBT and anti-parallel FRED in one  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
l
TJM  
Tstg  
package  
-55 ... +150  
2nd generation HDMOSTM process  
Low VCE(sat)  
l
l
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
- for minimum on-state conduction  
losses  
Weight  
6
g
l
l
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Fast Recovery Epitaxial Diode(FRED)  
- soft recovery with low IRM  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
l
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
l
l
l
BVCES  
VGE(th)  
IC = 4.5 mA, VGE = 0 V  
1000  
2.5  
V
V
l
IC = 500 µA, VCE = VGE  
5.5  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
500 µA  
mA  
Advantages  
8
l
Saves space (two devices in one  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
package)  
Easy to mount (isolated mounting  
screw hole)  
Reduces assembly time and cost  
l
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
17N100U1  
17N100AU1  
3.5  
4.0  
V
V
l
91754D (3/96)  
© 1996 IXYS All rights reserved  
123456

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IXGH17N100AU1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTG20N60A4 ONSEMI

功能相似

 IGBT，600V，SMPS
STGP8NC60KD STMICROELECTRONICS

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 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
IRG4PH50UDPBF INFINEON

功能相似

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IXGH17N100AU1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH17N100U1 IXYS

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IXGH20N100 IXYS

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IXGH20N100 LITTELFUSE

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IXGH20N100A3 IXYS

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IXGH20N100A3 LITTELFUSE

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