Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH20N120A3

IXGH20N120A3

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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6页	234K
描述
GenX3 1200V IGBTs

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IXGH20N120A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.35	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1530 ns	标称接通时间 (ton)：	66 ns
Base Number Matches：	1

IXGH20N120A3 数据手册

GenX3^TM1200V IGBTs

V_CES= 1200V

I_C110= 20A

V_CE(sat)≤ 2.5V

IXGA20N120A3

IXGP20N120A3

IXGH20N120A3

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3 kHz Switching

TO-263 AA (IXGA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

TO-247 (IXGH)

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 10Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 40

@V_CE≤ 960

P_C

T_C= 25°C

180

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

C (Tab)

-55 ... +150

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247 & TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zInternational Standard Packages

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zPower Inverters

^zUPS

5.0

25 μA

^zMotor Drives

^zSMPS

T_J= 125°C

±100

2.5

^zPFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.3

2.5

DS100046A(11/09)

12 3 4 5 6

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