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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH20N60BD1
IXGH20N60BD1 PDF预览

IXGH20N60BD1

更新时间： 2024-11-04 23:15:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGH20N60BD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
其他特性：FAST外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：150 ns
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：220 ns
标称接通时间 (ton)：15 nsBase Number Matches：1

IXGH20N60BD1 数据手册

 浏览型号IXGH20N60BD1的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFASTTM IGBT  
with Diode  
VCES  
IC25  
= 600 V  
= 40 A  
IXGH 20N60BD1  
IXGT 20N60BD1  
VCE(sat)typ = 1.7 V  
tfi(typ)  
= 100 ns  
Preliminary data  
TO-268  
(IXGT)  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
G
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
E
C (TAB)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-247 AD  
(IXGH)  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
40  
20  
80  
A
A
A
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 W  
Clamped inductive load, L = 100 mH  
ICM = 40  
@ 0.8 VCES  
A
G
C
C (TAB)  
E
PC  
TC = 25°C  
150  
W
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
• Internationalstandardpackages  
• HighfrequencyIGBTandantiparallel  
FRED in one package  
• Highcurrenthandlingcapability  
• HiPerFASTTM HDMOSTM process  
• MOS Gate turn-on  
Md  
Mountingtorque(M3)TO-247AD  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Weight  
TO-247AD  
TO-268  
6
4
g
g
-drive simplicity  
Applications  
• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
• Switched-modeandresonant-mode  
powersupplies  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Advantages  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250 mA, VGE = 0 V  
IC = 250 mA, VCE = VGE  
600  
2.5  
V
V
5.5  
• Space savings (two devices in one  
package)  
• High power density  
• Suitableforsurfacemounting  
• Very low switching losses for high  
frequencyapplications  
• Easy to mount with 1 screw,TO-247  
(insulated mounting screw hole)  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
200 mA  
mA  
3
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
2.0  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
1.7  
V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98566A (3/99)  
1 - 2  
12

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