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IXGH22N50BU1

更新时间： 2024-11-05 22:41:11

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	74K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGH22N50BU1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	44 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	140 ns	标称接通时间 (ton)：	15 ns
Base Number Matches：	1

IXGH22N50BU1 数据手册

Preliminary data

V_CES

I_C(25)

= 500 V

= 44 A

IXGH22N50BU1

IXGH22N50BU1S

HiPerFAST^TMIGBT

with Diode

Combi Pack

V_CE(sat)typ= 2.1 V

t_fi(typ)

= 55 ns

TO-247 SMD*

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (TAB)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

500

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 Ω

Clamped inductive load, L = 100 µH

I_CM= 44

@ 0.8 V_CES

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

150

*Add suffix letter "S" for surface mountable

package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• International standard packages

JEDEC TO-247 SMD surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

• High frequency IGBT and antiparallel

FRED in one package

Maximum Lead and Tab temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque, TO-247 AD

1.13/10 Nm/lb.in.

• High current handling capability

• HiPerFAST^TMHDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

Weight

TO-247 SMD

TO-247 AD

- drive simplicity

Applications

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

500

2.5

5.5

Advantages

• Space savings (two devices in one

package)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Suitable for surface mounting

• Very low switching losses for high

frequency applications

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.1

2.5

• Easy to mount with 1 screw,TO-247

(insulated mounting screw hole)

97509(2/97)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH22N50BU1S	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH22N50C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 44A I(C) \| TO-247AD
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