生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.81 |
其他特性: | HIGH SPEED | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 40 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE | 最大降落时间(tf): | 200 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 1150 ns | 标称接通时间 (ton): | 300 ns |
VCEsat-Max: | 3 V |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXGH36N60A3 | IXYS |
类似代替 |
GenX3 600V IGBT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH20N60AU1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD | |
IXGH20N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGH20N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGH20N60BS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD | |
IXGH20N60BU1S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR | |
IXGH20N60U1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD | |
IXGH20N80 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 | |
IXGH20N80A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 | |
IXGH20N90 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 | |
IXGH20N90A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |