5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGH20N120B
IXGH20N120B PDF预览

IXGH20N120B

更新时间： 2024-11-21 12:20:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
5页 574K
描述
High Voltage IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGH20N120B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.79
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：630 ns
标称接通时间 (ton)：43 ns

IXGH20N120B 数据手册

 浏览型号IXGH20N120B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGH20N120B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH20N120B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGH20N120B的Datasheet PDF文件第5页 
VCES  
IC25  
= 1200 V  
= 40 A  
IXGH 20N120B  
IXGT 20N120B  
High Voltage IGBT  
VCE(sat) = 3.4 V  
tfi(typ)  
= 160 ns  
Preliminary Data Sheet  
TO-268  
(IXGT)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
1200  
1200  
V
V
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
E
C(TAB)  
TAB)  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1 ms  
40  
20  
80  
A
A
A
TO-247 AD (IXGH)  
SSOA  
V
= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
I
= 80  
A
(RBSOA)  
CGlaE mped inductive load  
@ 0C.8M VCES  
190  
G
C
E
PC  
TC = 25°C  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
E = Emitter,  
Maximum Lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s  
260  
°C  
Features  
z
High Voltage IGBT for resonant  
power supplies  
Md  
Mounting torque (M3) (TO-247)  
1.13/10Nm/lb.in.  
- Induction heating  
Weight  
TO-247 AD  
TO-268  
6
4
g
g
- Rice cookers  
z
International standard packages  
JEDEC TO-268 surface and  
JEDEC TO-247 AD  
z
z
Low switching losses, low V(sat)  
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Advantages  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, VGE = 0 V  
1200  
2.5  
V
ICC = 250 µA, V = VGE  
5
V
z
High power density  
CE  
z
Suitable for surface mounting  
z
ICES  
VCE = VCES  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
50  
µA  
Easy to mount with 1 screw,  
(isolated mounting screw hole)  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = 20A, VGE = 15 V  
100  
nA  
VCE(sat)  
2.9  
2.8  
3.4  
3.8  
V
V
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS98986D(05/03)  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXGH20N120B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH20N140C3H1 IXYS

获取价格

 		GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
IXGH20N140C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH20N30 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT
IXGH20N30S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD
IXGH20N50 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N50A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N50U1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N60 IXYS

获取价格

 		Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH20N60A IXYS

获取价格

 		Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH20N60AU1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD

与IXGH20N120B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证