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IXGH22N170

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管高压局域网
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High Voltage IGBT

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IXGH22N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	44 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称接通时间 (ton)：	105 ns
Base Number Matches：	1

IXGH22N170 数据手册

Advance Technical Data

IXGH 22N170 V_CES

IXGT 22N170 I_C25

= 1700 V

40 A

High Voltage

IGBT

V_CE(sat)= 3.3 V

t_fi(typ)

= 290 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247AD(IXGH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

130

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 Ω

I_CM= 50

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

Clamped inductive load

P_C

T_C= 25°C

210

G = Gate,

E=Emitter,

Features

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^zInternational standard packages

JEDEC TO-268 and

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

JEDEC TO-247 AD

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

260

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.7

- drive simplicity

^zRugged NPT structure

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Applications

^zCapacitor discharge & pulser circuits

^zAC motor speed control

^zDC servo and robot drives

^zDC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

1700

3.0

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

500

µA

Advantages

^zHigh power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

100

3.0

^zSuitable for surface mounting

^zEasy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

T_J= 25°C

2.0

DS99325(02/05)

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