5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 24 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 80 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 275 ns | 标称接通时间 (ton)： | 98 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH24N170AH1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBTs w/Diode |
|
| IXGH24N170AH1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
|
| IXGH24N50B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
|
| IXGH24N50BS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD |
|
| IXGH24N50BU1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD |
|
| IXGH24N50BU1S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD |
|
| IXGH24N60A | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
|
| IXGH24N60AU1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
|
| IXGH24N60AU1S | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
|
| IXGH24N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
