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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH20N100A3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| IXGH20N100A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGH20N100U1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247 |
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| IXGH20N120 | IXYS |
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IGBT |
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| IXGH20N120A3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs |
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| IXGH20N120A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGH20N120B | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH20N120B | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH20N140C3H1 | IXYS |
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GenX3 1400V IGBTs w/ Diode |
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| IXGH20N140C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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