Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH20N100

IXGH20N100

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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IXYS		双极性晶体管
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2页	56K
描述
IGBT

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IXGH20N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1000 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	2000 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	200 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	700 ns
标称接通时间 (ton)：	30 ns	Base Number Matches：	1

IXGH20N100 数据手册

IXGH 20N100 V_CES

IXGT 20N100 I_C25

= 1000 V

40 A

IGBT

V_CE(sat)= 3.0 V

t_fi(typ)

= 280 ns

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

TO-247 AD (IXGH)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 47 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1000

2.5

• Capacitordischarge

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.2

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98620B(7/00)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGH20N100A3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXGH20N100A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH20N100U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 36A I(C) \| TO-247
IXGH20N120	IXYS	获取价格	IGBT
IXGH20N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGH20N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH20N120B	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
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