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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH16N170AH1
IXGH16N170AH1 PDF预览

IXGH16N170AH1

更新时间： 2024-11-18 02:51:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管高压栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 526K
描述
High Voltage IGBT

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IXGH16N170AH1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：150 ns
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：330 ns
标称接通时间 (ton)：97 nsBase Number Matches：1

IXGH16N170AH1 数据手册

 浏览型号IXGH16N170AH1的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Data  
IXGH/IXGT 16N170A  
IXGH/IXGT 16N170AH1  
VCES  
IC25  
= 1700 V  
16 A  
High Voltage  
IGBT  
=
VCE(sat) = 5.0 V  
tfi(typ)  
=
40 ns  
H1  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-268(IXGT)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
1700  
1700  
V
V
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
E
C (TAB)  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
16  
8
40  
A
A
A
TO-247AD(IXGH)  
SSOA  
V
= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10Ω  
I
= 40  
A
CGlaE mped inductive load  
@ 0C.8M VCES  
10  
TAB)  
(RBSOA)  
G
C
E
tSC  
TJ = 125°C, VCE = 1200 V; VGE = 15 V, RG = 22Ω  
TC = 25°C  
µs  
G = Gate,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
PC  
190  
W
E=Emitter,  
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Md  
Features  
z
International standard packages  
JEDEC TO-268 and  
Mounting torque (M3)  
TO-247  
1.13/10Nm/lb.in.  
JEDEC TO-247 AD  
z
z
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10s  
300  
°C  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
250  
°C  
- drive simplicity  
z
z
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
Rugged NPT structure  
g
Molding epoxies meet UL 94 V-0  
flammability classification  
SONICTM fast recovery copack diode  
z
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Applications  
min. typ. max.  
z
Capacitor discharge & pulser circuits  
z
AC motor speed control  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, VGE = 0 V  
1700  
3.0  
V
ICC = 250 µA, V = VGE  
5.0  
V
z
DC servo and robot drives  
CE  
z
DC choppers  
z
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
16N170A  
50  
100  
750  
µA  
µA  
µA  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
VGE = 0 V, Note 1  
16N170AH1  
Switched-mode and resonant-mode  
TJ = 125°C 16N170A  
power supplies  
16N170AH1  
1.5 mA  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = IC90, VGE = 15 V  
100  
5.0  
nA  
Advantages  
z
High power density  
VCE(sat)  
4.0  
4.8  
V
V
z
Suitable for surface mounting  
Easy to mount with 1 screw,  
TJ = 125°C  
z
(isolated mounting screw hole)  
DS99235(10/04)  
© 2004 IXYS All rights reserved  
12

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