型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STGW19NC60W | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
Ultra fast "W" series | |
IKW20N60T | INFINEON |
功能相似 |
IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE dio |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH17N100 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGH17N100 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH17N100A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGH17N100AU1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode | |
IXGH17N100U1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode | |
IXGH20N100 | IXYS |
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IGBT | |
IXGH20N100 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH20N100A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 | |
IXGH20N100A3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, | |
IXGH20N100A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |