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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.18 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 32 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 1100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 90 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH16N170_06 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH16N170A | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH16N170A | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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| IXGH16N170A_05 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH16N170AH1 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH16N170AH1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
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| IXGH16N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode |
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| IXGH16N60C2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed w/ Diode |
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| IXGH16N60C2D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH17N100 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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