5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH12N100S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
|
| IXGH12N100U1 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode |
|
| IXGH12N100U1S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
|
| IXGH12N120A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1200V IGBTs |
|
| IXGH12N120A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
|
| IXGH12N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT |
|
| IXGH12N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST TM IGBT |
|
| IXGH12N60C | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
|
| IXGH12N60CD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT LightspeedTM Series |
|
| IXGH12N90C | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
