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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH12N100U1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode |
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| IXGH12N100U1S | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
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| IXGH12N120A3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs |
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| IXGH12N120A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGH12N60B | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT |
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| IXGH12N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST TM IGBT |
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| IXGH12N60C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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| IXGH12N60CD1 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT LightspeedTM Series |
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| IXGH12N90C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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| IXGH12N90C_03 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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