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IXGH12N120A3

更新时间： 2024-11-20 11:14:07

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IXYS		双极性晶体管
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5页	200K
描述
GenX3 1200V IGBTs

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IXGH12N120A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	22 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1545 ns
标称接通时间 (ton)：	202 ns	Base Number Matches：	1

IXGH12N120A3 数据手册

GenX3^TM1200V

IGBTs

V_CES= 1200V

I_C90= 12A

V_CE(sat)≤ 3.0V

IXGA12N120A3

IXGP12N120A3

IXGH12N120A3

High Surge Current

TO-263 AA (IXGA)

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3kHz Switching

D (Tab)

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

TO-247 (IXGH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 24

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zPower Inverters

^zUPS

5.0

^zMotor Drives

10 μA

275 μA

^zSMPS

T_J= 125°C

^zPFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

2.40

2.75

3.0

DS100212B(11/10)

12 3 4 5

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