Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH12N100AU1

IXGH12N100AU1

更新时间： 2024-11-19 22:07:03

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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5页	154K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode

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IXGH12N100AU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED, FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	850 ns	标称接通时间 (ton)：	100 ns
Base Number Matches：	1

IXGH12N100AU1 数据手册

V_CES

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT with Diode

High Speed IGBT with Diode

Combi Pack

IXGH 12N100U1 1000 V 24 A 3.5 V

IXGH 12N100AU1 1000 V 24 A 4.0 V

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

G = Gate

= Collector

E = Emitter

TAB = Collector

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 150 W

Clamped inductive load, L = 300 mH

I_CM= 24

(RBSOA)

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-247

M_d

Mounting torque with screw M3

1.13/10 Nm/lb.in.

• IGBT with antiparallel FRED in one

package

Weight

• HDMOS^TMprocess

• Low V_CE(sat)

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

• Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

0.072

-0.192

Max.

BV_CES

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

1000

Applications

• DC choppers

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

power supplies

BV_CEStemperaturecoefficient

%/K

V_GE(th)

I_C= 500 mA, V_GE= V_GE

2.5

5.5

V_GE(th)temperature coefficient

%/K

I_CES

V_CE= 0.8, V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

300

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• Space savings (two devices in one

package)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

12N100U1

12N100AU1

3.5

4.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

95596C (7/00)

1 - 5

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH12N100AU1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 24A I(C) \| TO-247SMD
IXGH12N100S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 24A I(C) \| TO-247SMD
IXGH12N100U1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGH12N100U1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 24A I(C) \| TO-247SMD
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