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IXGA12N100AU1

更新时间： 2024-10-13 22:47:59

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
4页	119K
描述
IGBT - Combi Pack

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IXGA12N100AU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	其他特性：	HIGH SPEED, FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	1000 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	900 ns	标称接通时间 (ton)：	100 ns
Base Number Matches：	1

IXGA12N100AU1 数据手册

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

IGBT

IXGA/IXGP12N100U1

1000 V

24 A

3.5 V

4.0 V

Combi Pack

IXGA/IXGP12N100AU1 1000 V

Preliminary Data Sheet

TO-220AB(IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-263 AA (IXGA)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 150 W

Clamped inductive load, L = 300 mH

I_CM= 24

C (TAB)

(RBSOA)

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• IGBT with antiparallel FRED in one

package

-55 ... +150

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

• Second generation HDMOS^TMprocess

• Low V_CE(sat)

Weight

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

• Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

Applications

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 250 mA, V_GE= V_GE

5.5

I_CES

V_CE= 0.8, V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

300

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Space savings (two devices in one

package)

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

12N100

12N100A

3.5

4.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

95592A (3/97)

1 - 4

12 3 4

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与IXGA12N100AU1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGA12N100U1	IXYS	获取价格	IGBT - Combi Pack
IXGA12N120A2	IXYS	获取价格	IGBT Optimized for switching up to 5KHz
IXGA12N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGA12N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGA12N120A3-TRL	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGA12N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGA12N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263AB,
IXGA12N60C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGA12N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGA14N120B	IXYS	获取价格	IGBT Optimized for switching up to 35 KHz

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