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IXFN44N50Q_03

更新时间： 2022-11-10 23:52:38

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4页	568K
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFN44N50Q_03 数据手册

IXFN 44N50Q

IXFN 48N50Q

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

T_J= -40ºC

25ºC

125ºC

T_J= 125ºC

25ºC

-40ºC

3.5

4.5

5.5

6.5

12 18 24 30 36 42 48 54 60

V_{G S}- Volts

I _D- Amperes

Fig. 9. Source Current vs. Source-To-

Drain Voltage

Fig. 10. Gate Charge

100

V_DS= 250V

I_D= 24A

_G= 10mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

1.1 1.2

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Q _G- nanoCoulombs

V_{S D}- Volts

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Resistance

Fig. 11. Capacitance

10000

1000

100

f = 1MHz

iss

oss

rss

0.1

0.01

100

1000

V_{D S}- Volts

Pulse Width - milliseconds

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered byoneormore

ofthefollowingU.S.patents:

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343

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