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IXFL32N120P

更新时间： 2024-02-12 17:17:17
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 135K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFL32N120P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：PLASTIC, ISOPLUS, I5PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.63其他特性：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：2000 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.34 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：520 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IXFL32N120P 数据手册

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IXFL32N120P  
ISOPLUS i5-PakTM (IXFL) Outline  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
gfs  
VDS = 20V, ID = 16A, Note 1  
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz  
Gate input resistance  
17  
29  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
21  
1105  
77  
nF  
pF  
pF  
RGi  
0.84  
Ω
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
70  
62  
88  
51  
ns  
ns  
ns  
ns  
Resistive Switching Times  
VGS = 10V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 16A  
RG = 1Ω (External)  
PIN 1 = Gate  
PIN 2 = Source  
PIN 3 = Drain  
Tap 4 = Electricall isolated 2500V  
SYM  
INCHES  
MIN  
MILLIMETER  
MAX  
MIN  
MAX  
Qg(on)  
Qgs  
360  
130  
160  
nC  
nC  
nC  
A
0.190  
0.205  
0.118  
0.055  
0.055  
0.072  
0.068  
0.029  
1.040  
0.799  
4.83  
2.59  
5.21  
3.00  
1.40  
1.40  
1.83  
1.73  
0.74  
26.42  
20.29  
VGS = 10V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 16A  
A1  
A2  
b
0.102  
0.046  
1.17  
Qgd  
0.045  
1.14  
b1  
b2  
c
0.063  
1.60  
RthJC  
RthCS  
0.24 °C/W  
°C/W  
0.058  
1.47  
0.15  
0.020  
0.51  
D
1.020  
25.91  
19.56  
3.81 BSC  
E
0.770  
e
0.150 BSC  
Source-Drain Diode  
TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Characteristic Values  
e1  
L
0.450 BSC  
0.780  
11.43 BSC  
19.81  
0.820  
0.102  
0.235  
0.513  
0.180  
0.130  
0.690  
0.821  
20.83  
2.59  
Min.  
Typ.  
Max.  
L1  
Q
0.080  
0.210  
0.490  
0.150  
0.100  
0.668  
0.801  
2.03  
5.33  
5.97  
IS  
VGS = 0V  
32  
A
A
V
Q1  
R
12.45  
3.81  
13.03  
4.57  
ISM  
VSD  
Repetitive, Pulse Width Limited by TJM  
IF = IS, VGS = 0V, Note 1  
128  
1.5  
R1  
S
2.54  
3.30  
16.97  
20.34  
17.53  
20.85  
T
trr  
300 ns  
U
0.065  
0.080  
1.65  
2.03  
IF = 25A, -di/dt = 100A/μs  
QRM  
IRM  
1.9  
μC  
VR = 100V, VGS = 0V  
15.0  
A
Notes:  
1. Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.  
2. Part must be heatsunk for high-temp Ices measurement.  
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived  
from data gathered during objective characterizations of preliminary engineering lots; but also may yet  
contain some information supplied during a pre-production design evaluation. IXYS reserves the right  
to change limits, test conditions, and dimensions without notice.  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered  
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508  
4,881,106 5,034,796  
4,835,592 4,931,844  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123 B1  
6,306,728 B1  
6,404,065 B1 6,683,344  
6,534,343  
6,583,505  
6,727,585  
6,710,405 B2 6,759,692  
6,710,463  
7,005,734 B2 7,157,338B2  
7,063,975 B2  
6,771,478 B2 7,071,537  
12345

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