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IS65WV25616BLL-70BLA2

更新时间： 2024-01-01 01:58:45

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	351K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48

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IS65WV25616BLL-70BLA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.5
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00004 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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required

andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.

controls both writing and reading of the memory.A data byte

allowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB) access.

TheꢀactiveꢀLOWWriteꢀEnableꢀ(WE)

IS65WV25616ALL

IS65WV25616BLL

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC SRAM

SEPTEMBER 2008

FEATURES

DESCRIPTION

TheꢀISSIꢀIS65WV25616ALL/IS65WV25616BLLꢀꢀareꢀꢀhigh-

speed,ꢀlowꢀpower,ꢀ4MꢀbitꢀSRAMsꢀorganizedꢀasꢀ256Kꢀwordsꢀ

by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance

CMOSꢀtechnology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀwithꢀ

innovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

and low power consumption devices.

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ55ns,ꢀ70ns

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation

36 mW (typical) operating

ꢀ 9ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

When CS1ꢀisꢀHIGHꢀ(deselected)ꢀorꢀwhen CS1 is LOW, and

both LB and UBꢀareꢀHIGH,ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀstandbyꢀ

mode at which the power dissipation can be reduced down

withꢀCMOSꢀinputꢀlevels.

ꢀ 1.65V--2.2VꢀV^{d d}(65WV25616ALL)

ꢀ 2.5V--3.6VꢀV^{d d}ꢀ(65WV25616BLL)

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefresh

EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes

•ꢀ TEMPERATUREꢀOFFERINGS:

ꢀ OptionꢀA1:ꢀꢀ-40°Cꢀtoꢀ+85°C

ꢀ OptionꢀA2:ꢀ-40°Cꢀtoꢀ+105°C

ꢀ OptionꢀA3:ꢀ-40°Cꢀtoꢀ+125°C

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

TheꢀIS65WV25616BALL/65WV25616BLLꢀꢀareꢀpackagedꢀ

inꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII)ꢀandꢀ48-pinꢀ

miniꢀBGAꢀ(6mmx8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS1

CONTROL

CIRCUIT

25616LL_BLK.eps

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. D

09/16/08

12 3 4 5 6 7...15

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与IS65WV25616BLL-70BLA2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS65WV25616BLL-70BLA3	ISSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48	获取价格
IS65WV25616BLL-70TA2	ISSI	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM	获取价格
IS65WV25616BLL-70TA3	ISSI	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM	获取价格
IS65WV25616DBLL	ISSI	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM	获取价格
IS65WV25616DBLL-45CTLA1	ISSI	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM	获取价格
IS65WV25616DBLL-55CTLA3	ISSI	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM	获取价格

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