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IS65WV25616BLL-70BLA2

更新时间： 2024-12-01 15:35:35

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	351K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48

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IS65WV25616BLL-70BLA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.5
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00004 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

IS65WV25616BLL-70BLA2 数据手册

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required

andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.

controls both writing and reading of the memory.A data byte

allowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB) access.

TheꢀactiveꢀLOWWriteꢀEnableꢀ(WE)

IS65WV25616ALL

IS65WV25616BLL

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC SRAM

SEPTEMBER 2008

FEATURES

DESCRIPTION

TheꢀISSIꢀIS65WV25616ALL/IS65WV25616BLLꢀꢀareꢀꢀhigh-

speed,ꢀlowꢀpower,ꢀ4MꢀbitꢀSRAMsꢀorganizedꢀasꢀ256Kꢀwordsꢀ

by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance

CMOSꢀtechnology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀwithꢀ

innovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

and low power consumption devices.

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ55ns,ꢀ70ns

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation

36 mW (typical) operating

ꢀ 9ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

When CS1ꢀisꢀHIGHꢀ(deselected)ꢀorꢀwhen CS1 is LOW, and

both LB and UBꢀareꢀHIGH,ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀstandbyꢀ

mode at which the power dissipation can be reduced down

withꢀCMOSꢀinputꢀlevels.

ꢀ 1.65V--2.2VꢀV^{d d}(65WV25616ALL)

ꢀ 2.5V--3.6VꢀV^{d d}ꢀ(65WV25616BLL)

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefresh

EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes

•ꢀ TEMPERATUREꢀOFFERINGS:

ꢀ OptionꢀA1:ꢀꢀ-40°Cꢀtoꢀ+85°C

ꢀ OptionꢀA2:ꢀ-40°Cꢀtoꢀ+105°C

ꢀ OptionꢀA3:ꢀ-40°Cꢀtoꢀ+125°C

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

TheꢀIS65WV25616BALL/65WV25616BLLꢀꢀareꢀpackagedꢀ

inꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII)ꢀandꢀ48-pinꢀ

miniꢀBGAꢀ(6mmx8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS1

CONTROL

CIRCUIT

25616LL_BLK.eps

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. D

09/16/08

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS65WV25616BLL-70BLA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
IS65WV25616BLL-70TA2	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616BLL-70TA3	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616DBLL	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616DBLL-45CTLA1	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616DBLL-55CTLA3	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV2568DALL	ISSI	获取价格	TTL compatible interface levels
IS65WV2568DBLL	ISSI	获取价格	TTL compatible interface levels
IS65WV2568EALL	ISSI	获取价格	Three state outputs
IS65WV2568EBLL	ISSI	获取价格	Three state outputs

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