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IS65WV25616BLL-70BLA3

更新时间： 2024-09-24 14:51:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 351K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48

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IS65WV25616BLL-70BLA3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.5
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：8 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00006 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
宽度：6 mmBase Number Matches：1

IS65WV25616BLL-70BLA3 数据手册

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required  
andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.  
controls both writing and reading of the memory.A data byte  
allowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB) access.  
                                                                       
TheꢀactiveꢀLOWWriteꢀEnableꢀ(WE)  
                                                                                   
IS65WV25616ALL  
IS65WV25616BLL  
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA  
LOW POWER CMOS STATIC SRAM  
SEPTEMBER 2008  
FEATURES  
DESCRIPTION  
TheꢀISSIꢀIS65WV25616ALL/IS65WV25616BLLꢀꢀareꢀꢀhigh-  
speed,ꢀlowꢀpower,ꢀ4MꢀbitꢀSRAMsꢀorganizedꢀasꢀ256Kꢀwordsꢀ  
by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance  
CMOSꢀtechnology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀwithꢀ  
innovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance  
and low power consumption devices.  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ55ns,ꢀ70ns  
•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation  
36 mW (typical) operating  
ꢀ 9ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby  
•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels  
•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ  
When CS1ꢀisꢀHIGHꢀ(deselected)ꢀorꢀwhen CS1 is LOW, and  
both LB and UBꢀareꢀHIGH,ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀstandbyꢀ  
mode at which the power dissipation can be reduced down  
withꢀCMOSꢀinputꢀlevels.  
ꢀ 1.65V--2.2VꢀVd d (65WV25616ALL)  
ꢀ 2.5V--3.6VꢀVd d ꢀ(65WV25616BLL)  
•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefresh  
EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ  
•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs  
•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes  
•ꢀ TEMPERATUREꢀOFFERINGS:  
ꢀ OptionꢀA1:ꢀꢀ-40°Cꢀtoꢀ+85°C  
ꢀ OptionꢀA2:ꢀ-40°Cꢀtoꢀ+105°C  
ꢀ OptionꢀA3:ꢀ-40°Cꢀtoꢀ+125°C  
•ꢀ Lead-freeꢀavailable  
TheꢀIS65WV25616BALL/65WV25616BLLꢀꢀareꢀpackagedꢀ  
inꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII)ꢀandꢀ48-pinꢀ  
miniꢀBGAꢀ(6mmx8mm).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
256K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A17  
DECODER  
V
DD  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
CIRCUIT  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CS1  
OE  
WE  
UB  
LB  
CONTROL  
CIRCUIT  
25616LL_BLK.eps  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without  
notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-  
est version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
1
Rev. D  
09/16/08  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS65WV25616BLL-70TA2 ISSI

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