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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DSBGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 45 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | AEC-Q100 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000018 A |
| 最小待机电流： | 1.2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS65WV6416DBLL-45CTLA3 | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44 |
|
| IS66/67WV51216DBLL | ISSI |
获取价格 |
8Mb LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM |
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| IS660 | ETC |
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HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR |
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| IS660_08 | ISOCOM |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR |
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| IS6605A | INNOVISIONSEMI |
获取价格 |
高功率密度，高频，全集成的同步降压变换器，支持最高带载6A |
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| IS66066 | INNOVISIONSEMI |
获取价格 |
高功率密度，高频，全集成的同步降压变换器,支持最高带载12A |
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| IS6607A/H | INNOVISIONSEMI |
获取价格 |
高功率密度，高频，全集成的同步降压变换器，支持最高带载20A |
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| IS6608A | INNOVISIONSEMI |
获取价格 |
全集成，兼容PMBus接口的多相高频同步降压变换器， 单相最高带载30A，最高8相并联 |
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| IS660G | ISOCOM |
获取价格 |
Darlington Output Optocoupler, 1-Element, 5300V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-6 |
|
| IS660SM | ISOCOM |
获取价格 |
暂无描述 |
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