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IS65WV6416DBLL-45CTLA3

更新时间： 2024-02-25 03:11:49

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	431K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44

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IS65WV6416DBLL-45CTLA3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.41 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000018 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.012 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS65WV6416DBLL-45CTLA3 数据手册

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IS62WV6416DALL/DBLL

IS65WV6416DALL/DBLL

64K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DECEMBER 2012

FEATURES

DESCRIPTION

TheꢀISSIꢀIS62/65WV6416DALLꢀandꢀIS62/65WV6416DBLLꢀ

areꢀꢀhigh-speed,ꢀ1MꢀbitꢀstaticꢀRAMsꢀorganizedꢀasꢀ64Kꢀwordsꢀ

byꢀ16ꢀbits.ꢀItꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-performanceꢀ

CMOSꢀtechnology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀ

withꢀ innovativeꢀ circuitꢀ designꢀ techniques,ꢀ yieldsꢀ high-

performanceꢀandꢀlowꢀpowerꢀconsumptionꢀdevices.

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ35ns,ꢀ45ns,ꢀ55ns

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation:

ꢀ 15ꢀmWꢀ(typical)ꢀoperating

ꢀ 1.5ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

WhenꢀCS1ꢀisꢀHIGHꢀ(deselected)ꢀorꢀwhenꢀCS2ꢀisꢀLOW

(deselected)ꢀorꢀwhen CS1ꢀisꢀLOW,ꢀCS2ꢀisꢀHIGHꢀandꢀbothꢀ

LBꢀandꢀUBꢀareꢀHIGH,ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀstandbyꢀmodeꢀ

atꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀreducedꢀdownꢀwithꢀ

CMOSꢀinputꢀlevels.

ꢀ 1.65V--2.2VꢀVdd (62WV6416dALL)

ꢀ ꢀ2.3V--3.6VꢀVdd (65WV6416dBLL)

EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ

andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀWriteꢀEnableꢀ

(WE)ꢀcontrolsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀtheꢀmemory.ꢀAꢀ

dataꢀbyteꢀallowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB)ꢀ

access.

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefresh

required

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes

•ꢀ Industrialꢀandꢀautomotiveꢀtemperatureꢀsupport

•ꢀ 2CSꢀOptionꢀAvailable

TheꢀIS62/65WV6416DALLꢀandꢀIS62/65WV6416DBLLꢀareꢀ

packagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ48-pinꢀminiꢀBGAꢀ(6mmꢀ

xꢀ8mm)ꢀandꢀ44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII).

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. B

12/18/12

12 3 4 5 6 7...15

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与IS65WV6416DBLL-45CTLA3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS66/67WV51216DBLL	ISSI	获取价格	8Mb LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM
IS660	ETC	获取价格	HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR
IS660_08	ISOCOM	获取价格	HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR
IS6605A	INNOVISIONSEMI	获取价格	高功率密度，高频，全集成的同步降压变换器，支持最高带载6A
IS66066	INNOVISIONSEMI	获取价格	高功率密度，高频，全集成的同步降压变换器,支持最高带载12A
IS6607A/H	INNOVISIONSEMI	获取价格	高功率密度，高频，全集成的同步降压变换器，支持最高带载20A
IS6608A	INNOVISIONSEMI	获取价格	全集成，兼容PMBus接口的多相高频同步降压变换器，单相最高带载30A，最高8相并联
IS660G	ISOCOM	获取价格	Darlington Output Optocoupler, 1-Element, 5300V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-6
IS660SM	ISOCOM	获取价格	暂无描述
IS660-SM	ISOCOM	获取价格	Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER, SURFACE MOUNT, P

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