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IS65WV25616BLL-70TA2

更新时间： 2024-02-08 17:25:30

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	99K
描述
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

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IS65WV25616BLL-70TA2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00004 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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IS65WV25616ALL

IS65WV25616BLL

ISSI

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC SRAM

PRELIMINARYINFORMATION

JUNE2006

FEATURES

DESCRIPTION

TheISSIIS65WV25616ALL/IS65WV25616BLL are high-

speed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwords

by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance

CMOS technology. This highly reliable process coupled

with innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

36 mW (typical) operating

9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

WhenCS1isHIGH(deselected)orwhenCS1isLOW,and

both LB and UB are HIGH, the device assumes a standby

modeatwhichthepowerdissipationcanbereduceddown

with CMOS input levels.

1.65V--2.2V V^DD(65WV25616ALL)

2.5V--3.6V V^DD(65WV25616BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

•

TEMPERATURE OFFERINGS:

Option A1: -40°C to +85°C

Option A2: -40°C to +105°C

Option A3: -40°C to +125°C

Lead-freeavailable

TheIS65WV25616BALL/65WV25616BLL arepackagedin

the JEDEC standard 44-Pin TSOP (TYPE II).

•

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS1

CONTROL

CIRCUIT

25616LL_BLK.eps

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. 00B

06/20/06

12 3 4 5 6 7...13

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