生命周期: | Active | 包装说明: | TFBGA, |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.66 | 最长访问时间: | 55 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B36 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS65WV6416DALL | ISSI |
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High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns |
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IS65WV6416DALL/DBLL | ISSI |
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64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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IS65WV6416DBLL | ISSI |
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High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns |
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IS65WV6416DBLL-45BLA3 | ISSI |
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Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 8 X 6 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48 |
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IS65WV6416DBLL-45CTLA3 | ISSI |
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Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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IS66/67WV51216DBLL | ISSI |
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8Mb LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM |
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IS660 | ETC |
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HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR |
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IS660_08 | ISOCOM |
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HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR |
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IS6605A | INNOVISIONSEMI |
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高功率密度,高频,全集成的同步降压变换器,支持最高带载6A |
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IS66066 | INNOVISIONSEMI |
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高功率密度,高频,全集成的同步降压变换器,支持最高带载12A |
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