是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TSOP2, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 1.58 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.4 ns | 其他特性: | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IS42S16160J-7TLI-TR | ISSI |
完全替代 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS42S16160J-7TLI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP | |
IS42S16320B | ISSI |
获取价格 |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16320B-6BL | ISSI |
获取价格 |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16320B-6BLI | ISSI |
获取价格 |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16320B-6BLI-TR | ISSI |
获取价格 |
DRAM | |
IS42S16320B-6TL | ISSI |
获取价格 |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16320B-6TLI | ISSI |
获取价格 |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16320B-6TLI-TR | ISSI |
获取价格 |
暂无描述 | |
IS42S16320B-6TL-TR | ISSI |
获取价格 |
DRAM | |
IS42S16320B-75ETL | ISSI |
获取价格 |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM |