IS42S16320B-7TLI

更新时间： 2024-11-24 05:39:31

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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61页	851K
描述
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

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IS42S16320B-7TLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	7.81
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e3	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS42S16320B-7TLI 数据手册

IS42S86400B

IS42S16320B, IS45S16320B

64M x 8, 32M x 16

512Mb SYNCHRONOUS DRAM

SEPTEMBER 2009

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ512MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ512MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

V^{d d}

Vd d q

IS42/45S16320Bꢀ ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀ

IS42S86400Bꢀ

IS42/45S16320Bꢀ

ꢀ IS42S86400Bꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀꢀ

16Mx8x4ꢀBanksꢀ 8Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀW-BGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

Parameter

-6

-7

-75E Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

–ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

operations capability

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

166ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

–ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

command

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

–ꢀ

5.5ꢀ

ꢀ

•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀW-BGAꢀ

(x16ꢀonly)

5.4ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:

Commercial:ꢀ0^oC to +70^oC

Industrial:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

Automotive,ꢀA1:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

08/27/09

12 3 4 5 6 7...61

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IS42S16320B-7TLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16320B-75ETL	ISSI	类似代替	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

与IS42S16320B-7TLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16320B-7TLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42S16320B-7TL-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42S16320D	ISSI	获取价格	Internal bank for hiding row access/precharge
IS42S16320D-7BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2
IS42S16320D-7BLI-TR	ISSI	获取价格	Cache DRAM Module, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-
IS42S16320D-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54 PIN
IS42S16320D-7TL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IS42S16320F	ISSI	获取价格	8K refresh cycles every 64 ms
IS42S16320F-6BL	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

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