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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.22 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IS42S16320B-7TLI | ISSI |
类似代替  |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16320B-7TL | ISSI |
类似代替 |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS42S16320B-7TL-TR | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
|
| IS42S16320D | ISSI |
获取价格 |
Internal bank for hiding row access/precharge |
|
| IS42S16320D-7BLI | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2 |
|
| IS42S16320D-7BLI-TR | ISSI |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO- |
|
| IS42S16320D-7TL | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54 PIN |
|
| IS42S16320D-7TL-TR | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP |
|
| IS42S16320F | ISSI |
获取价格 |
8K refresh cycles every 64 ms |
|
| IS42S16320F-6BL | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA |
|
| IS42S16320F-6BLI | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA |
|
| IS42S16320F-6BLI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA |
|
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