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IS42S16320B-7TL-TR PDF预览

IS42S16320B-7TL-TR

更新时间： 2024-09-13 19:58:31
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
62页 881K
描述
Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

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IS42S16320B-7TL-TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：54
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.22
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e3长度：22.22 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS42S16320B-7TL-TR 数据手册

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IS42S86400B  
IS42S16320B, IS45S16320B  
64M x 8, 32M x 16  
512Mb SYNCHRONOUS DRAM  
DECEMBER 2011  
OVERVIEW  
FEATURES  
ISSI'sꢀ512MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ  
dataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀꢀAllꢀinputsꢀandꢀ  
outputsꢀsignalsꢀreferꢀꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀinput.ꢀ  
Theꢀ512MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ  
•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀꢀMHz  
•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ  
positiveꢀclockꢀedge  
•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge  
•ꢀ Powerꢀsupply  
ꢀ ꢀ  
ꢀ
Vddꢀ  
Vddq ꢀ ꢀ  
ꢀ
IS42S86400Bꢀ  
IS42/45S16320Bꢀ  
IS42/45S16320Bꢀ ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀ  
16Mx8x4ꢀBanksꢀ 8Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ  
ꢀ IS42S86400Bꢀ  
•ꢀ LVTTLꢀinterface  
ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀꢀ  
54-pinꢀTSOPIIꢀ  
54-pinꢀTSOPII  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
54-ballꢀW-BGAꢀ  
ꢀ
•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ  
–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)  
KEY TIMING PARAMETERS  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ  
Sequential/Interleaveꢀ  
Parameter  
-6  
-7  
-75E Unit  
ClkꢀCycleꢀTimeꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
6ꢀ  
10ꢀ  
ꢀ
7ꢀ  
10ꢀ  
ꢀ
ꢀ
–ꢀ  
7.5ꢀ  
nsꢀ  
ns  
•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)  
•ꢀ SelfꢀRefresh  
ClkꢀFrequencyꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
ꢀꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
166ꢀ  
100ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16msꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀꢀ  
64ꢀmsꢀ(Commercial,ꢀIndustrial,ꢀA1ꢀgrade)  
143ꢀ  
100ꢀ  
–ꢀ  
133ꢀ  
Mhzꢀ  
Mhz  
•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle  
AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
–ꢀ  
5.5ꢀ  
ꢀ
5.4ꢀ  
6ꢀ  
5.4ꢀ  
6ꢀ  
nsꢀ  
ns  
•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)  
•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ  
operationsꢀcapability  
•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ  
command  
•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀW-BGAꢀ  
(x16ꢀonly)  
•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:ꢀ  
Commercial:ꢀ0oCꢀtoꢀ+70oC  
Industrial:ꢀ-40oCꢀtoꢀ+85oC  
Automotive,ꢀA1:ꢀ-40oCꢀtoꢀ+85oC  
Automotive,ꢀA2:ꢀ-40oCꢀtoꢀ+105oC  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwith-  
outꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀ  
theꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀ  
reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀap-  
plicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀꢀ  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ  
1
Rev. H  
12/01/2011  
1234567...62

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IS42S16320B-7TL-TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS42S16320D-7TL ISSI

完全替代

 Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54 PIN
IS42S16320B-7TL ISSI

完全替代

 64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

与IS42S16320B-7TL-TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS42S16320D ISSI

获取价格

 		Internal bank for hiding row access/precharge
IS42S16320D-7BLI ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2
IS42S16320D-7BLI-TR ISSI

获取价格

 		Cache DRAM Module, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-
IS42S16320D-7TL ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54 PIN
IS42S16320D-7TL-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IS42S16320F ISSI

获取价格

 		8K refresh cycles every 64 ms
IS42S16320F-6BL ISSI

获取价格

 		IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI ISSI

获取价格

 		IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16320F-6BL-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

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