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IS42S16320B-7BLI-TR

更新时间： 2024-09-13 19:58:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
62页	881K
描述
Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 11 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-54

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IS42S16320B-7BLI-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TFBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

IS42S16320B-7BLI-TR 数据手册

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IS42S86400B

IS42S16320B, IS45S16320B

64M x 8, 32M x 16

512Mb SYNCHRONOUS DRAM

DECEMBER 2011

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ512MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

dataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀꢀAllꢀinputsꢀandꢀ

outputsꢀsignalsꢀreferꢀꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀinput.ꢀ

Theꢀ512MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positiveꢀclockꢀedge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

ꢀ ꢀ

ꢀ

V^ddꢀ

Vddq ꢀ ꢀ

ꢀ

IS42S86400Bꢀ

IS42/45S16320Bꢀ

IS42/45S16320Bꢀ ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀ

16Mx8x4ꢀBanksꢀ 8Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

ꢀ IS42S86400Bꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

ꢀ

54-ballꢀW-BGAꢀ

ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

Parameter

-6

-7

-75E Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

ꢀ

–ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

166ꢀ

100ꢀ

ꢀ

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16msꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀꢀ

64ꢀmsꢀ(Commercial,ꢀIndustrial,ꢀA1ꢀgrade)

143ꢀ

100ꢀ

–ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

–ꢀ

5.5ꢀ

ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ

operationsꢀcapability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀW-BGAꢀ

(x16ꢀonly)

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:ꢀ

Commercial:ꢀ0^oCꢀtoꢀ+70^oC

Industrial:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

Automotive,ꢀA1:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

Automotive,ꢀA2:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+105^oC

outꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀ

theꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀ

reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀap-

plicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀꢀ

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ

Rev. H

12/01/2011

12 3 4 5 6 7...62

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IS42S16320B-7BLI-TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16320F-7BLI-TR	ISSI	功能相似	IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

与IS42S16320B-7BLI-TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16320B-7BL-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS42S16320B-7TL	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-7TLI	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-7TLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42S16320B-7TL-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42S16320D	ISSI	获取价格	Internal bank for hiding row access/precharge
IS42S16320D-7BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2
IS42S16320D-7BLI-TR	ISSI	获取价格	Cache DRAM Module, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-
IS42S16320D-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54 PIN
IS42S16320D-7TL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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