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IS42S16320B-7BL-TR

更新时间： 2024-09-13 13:08:55

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
61页	851K
描述
DRAM

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IS42S16320B-7BL-TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Base Number Matches：	1

IS42S16320B-7BL-TR 数据手册

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IS42S86400B

IS42S16320B, IS45S16320B

64M x 8, 32M x 16

512Mb SYNCHRONOUS DRAM

SEPTEMBER 2009

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ512MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ512MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

V^{d d}

Vd d q

IS42/45S16320Bꢀ ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀ

IS42S86400Bꢀ

IS42/45S16320Bꢀ

ꢀ IS42S86400Bꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀꢀ

16Mx8x4ꢀBanksꢀ 8Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀW-BGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

Parameter

-6

-7

-75E Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

–ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

operations capability

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

166ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

–ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

command

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

–ꢀ

5.5ꢀ

ꢀ

•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀW-BGAꢀ

(x16ꢀonly)

5.4ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:

Commercial:ꢀ0^oC to +70^oC

Industrial:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

Automotive,ꢀA1:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

08/27/09

12 3 4 5 6 7...61

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IS42S16320B-7BL-TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16320B-7BL	ISSI	功能相似	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

与IS42S16320B-7BL-TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16320B-7TL	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-7TLI	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-7TLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42S16320B-7TL-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42S16320D	ISSI	获取价格	Internal bank for hiding row access/precharge
IS42S16320D-7BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2
IS42S16320D-7BLI-TR	ISSI	获取价格	Cache DRAM Module, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-
IS42S16320D-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSSOP2, 54 PIN
IS42S16320D-7TL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IS42S16320F	ISSI	获取价格	8K refresh cycles every 64 ms

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