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IS42S16320B-6TLI-TR

更新时间： 2024-11-24 13:08:55

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路动态存储器时钟
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IS42S86400B

IS42S16320B, IS45S16320B

64M x 8, 32M x 16

512Mb SYNCHRONOUS DRAM

SEPTEMBER 2009

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ512MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ512MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

V^{d d}

Vd d q

IS42/45S16320Bꢀ ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀ

IS42S86400Bꢀ

IS42/45S16320Bꢀ

ꢀ IS42S86400Bꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀꢀ

16Mx8x4ꢀBanksꢀ 8Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀW-BGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

Parameter

-6

-7

-75E Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

–ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

operations capability

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

166ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

–ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

command

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

–ꢀ

5.5ꢀ

ꢀ

•ꢀ Availableꢀinꢀ54-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ54-ballꢀW-BGAꢀ

(x16ꢀonly)

5.4ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:

Commercial:ꢀ0^oC to +70^oC

Industrial:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

Automotive,ꢀA1:ꢀ-40^oCꢀtoꢀ+85^oC

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

08/27/09

12 3 4 5 6 7...61

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IS42S16320B-6TLI-TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16320F-6TLI-TR	ISSI	类似代替	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

与IS42S16320B-6TLI-TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16320B-6TL-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS42S16320B-75ETL	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-75ETLI	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-75ETLI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS42S16320B-75ETL-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS42S16320B-7BL	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-7BLI	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16320B-7BLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 11 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WB
IS42S16320B-7BL-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS42S16320B-7TL	ISSI	获取价格	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

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