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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR8259TRPBF
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IRLR8259TRPBF

更新时间： 2024-09-10 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 363K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLR8259TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.88雪崩能效等级（Eas）：67 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：57 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.0087 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：48 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRLR8259TRPBF 数据手册

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PD - 97360  
IRLR8259PbF  
IRLU8259PbF  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
8.7m  
25V  
Ω
6.8nC  
D
Benefits  
S
S
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
G
G
D-Pak  
I-Pak  
IRLR8259PbF  
IRLU8259PbF  
l Lead-Free  
l RoHS compliant  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
25  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
57  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
D
D
40  
A
230  
48  
DM  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
P
P
@TC = 25°C  
W
D
D
@TC = 100°C  
24  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.32  
-55 to + 175  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.15  
50  
Units  
Rθ  
JC  
Rθ  
JA  
Rθ  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
–––  
110  
ORDERING INFORMATION:  
See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet.  
Notes  through ꢀ are on page 11  
www.irf.com  
1
12/16/08  
1234567...11

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