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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR3707ZPBF
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IRFR3707ZPBF

更新时间： 2024-02-03 23:40:48
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 262K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFR3707ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：42 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR3707ZPBF 数据手册

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PD - 95443A  
IRFR3707ZPbF  
IRFU3707ZPbF  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
9.5m  
30V  
9.6nC  
l Lead-Free  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRFR3707Z  
I-Pak  
IRFU3707Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
± 20  
56  
Gate-to-Source Voltage  
GS  
I
I
I
@ TC = 25°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
@ TC = 100°C  
39  
220  
50  
DM  
P
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
D
@TC = 100°C  
25  
0.33  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 175  
Operating Junction and  
J
T
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
STG  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.0  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
50  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
110  
Notes  through ꢀ are on page 11  
www.irf.com  
1
12/6/04  
1234567...11

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IRFR3707ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IRFR3707ZTRL KERSEMI

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IRFR3707ZTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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