是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.64 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 42 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 30 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0095 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 220 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN OVER NICKEL |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFR3707ZTRPBF | INFINEON |
类似代替 ![]() |
HEXFETPower MOSFET |
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IRLR8259TRPBF | INFINEON |
类似代替 ![]() |
HEXFET Power MOSFET |
![]() |
IRLR8259PBF | INFINEON |
类似代替 ![]() |
HEXFET Power MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR3707ZPBFTR | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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IRFR3707ZPBFTRR | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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IRFR3707ZTR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |
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IRFR3707ZTRL | KERSEMI |
获取价格 |
High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power |
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IRFR3707ZTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRFR3707ZTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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IRFR3707ZTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRFR3707ZTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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IRFR3708 | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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IRFR3708 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, I |
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