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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZTRPBF PDF预览

IRFR3707ZTRPBF

更新时间： 2024-01-27 12:56:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 368K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRFR3707ZTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.61Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：42 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR3707ZTRPBF 数据手册

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PD - 95443B  
IRFR3707ZPbF  
IRFU3707ZPbF  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
9.5m  
30V  
9.6nC  
l Lead-Free  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRFR3707ZPbF  
I-Pak  
IRFU3707ZPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
V
30  
Drain-to-Source Voltage  
V
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
GS  
I
I
I
@ TC = 25°C  
A
56  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
@ TC = 100°C  
39  
220  
DM  
P
P
@TC = 25°C  
W
50  
25  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
D
@TC = 100°C  
0.33  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 175  
Operating Junction and  
J
T
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
STG  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.0  
Units  
°C/W  
Rθ  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
50  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
110  
Notes  through ꢀ are on page 11  
www.irf.com  
1
05/14/08  
1234567...11

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IRFR3707ZTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR3707ZTRLPBF INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR8259PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRFR3707ZPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET

与IRFR3707ZTRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR3707ZTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3707ZTRRPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRFR3708 KERSEMI

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 		SMPS MOSFET
IRFR3708 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, I
IRFR3708PBF KERSEMI

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFR3708PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRFR3708TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708TRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3708TRR INFINEON

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