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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.07 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 93 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 65 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 260 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD090N03L G | INFINEON |
类似代替  |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| IRLR8721TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR8726PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR8721PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques |
|
| IRLR8721PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques |
|
| IRLR8721TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR8721TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR8721TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR8721TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR8721TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR8726 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR8726PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLR8726PBF_09 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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